Europako Espazio GaN (ESGAN)

European Space GaN (ESGAN) proiektuaren helburua da 200V-ko hobekuntza-moduko (enhancement mode) GaN transistore bat garatzea (normally-off motakoa), espaziorako potentzia-kudeaketako zirkuituetan erabiltzeko.

Galioko nitruroak (GaN) eskaintzen dituen abantailak —masa txikiagoa, eraginkortasun handiagoa eta erradiazioarekiko erresistentzia-potentziala— ondo ezagunak dira, eta proiektu honen xedea da abantaila horiek teknologia-garapenaren bidez baliatzea. Gailuak diseinatu, fabrikatu eta erradiazio, bero, egitura eta fidagarritasun-proben menpe jarriko dira, eta benetako aplikazio batean demostratu egingo dira nahi den errendimendua egiaztatzeko. Azken helburua da espazio-ebaluaziora eta espazio-kalifikaziora iristea garatutako gailuentzat.

Beste helburu nagusietako bat da erabat gaitutako eta konprometitutako Europako hornikuntza-kate osoa ezartzea, beste herrialde edo eskualde geografiko batzuen mendekotasuna ezabatzeko. Proiektuaren helburuak lortzeko, hornikuntza-katearen etapa guztiak estaltzen dituen kontsortzio sendo bat osatu da:

• AIXTRON SE, GaN transistoreetarako azpiestaldura aurreratuak hazteko ekipamenduen diseinu eta fabrikazioan espezializatua.

• SEMI ZABALA SL, GaN transistoreen eta zirkuitu integratuen diseinuan, probetan eta paketatzean espezializatua.

• X-FAB Dresden GmbH & Co. KG, GaN transistoreak prozesatzeko zerbitzuak garatu eta eskaintzen dituen erdieroaleen fabrikazio-enpresa (foundry).

• AIRBUS SAS, Europako satelite-ekipoen eta sistemaren diseinu eta fabrikazioan aitzindarietako bat.

Kontsortzioak hornikuntza-kate osoa hartzen du, materialetatik hasi eta diseinua, prozesatzea, paketatzea eta probak barne, beheko erabiltzaileetaraino.

📅 Hasiera-data: 2025eko otsailaren 1a
📅 Amaiera-data: 2028ko urtarrilaren 31
💶 Aurrekontu osoa: 3.370.416 €

Kontsortzioaren kideak:

• Semi Zabala SL (koord.)

• Airbus SAS

• X-FAB Dresden GmbH & Co. KG

• AIXTRON SE

For further information: https://cordis.europa.eu/project/id/101190041