Aplicación Espacial GaN (SAGAN)

El programa SAGAN (Space Application GaN) aborda un elemento crucial en las futuras plataformas y cargas útiles satelitales. Los Sistemas de Energía Eléctrica de las Naves Espaciales (EPS) son un componente clave que hace posibles las misiones espaciales. Sin un EPS eficiente, muchas de las capacidades que hoy damos por sentadas —como las comunicaciones de alta velocidad, los sistemas GNSS y las cargas útiles científicas— no serían posibles.

Los transistores de potencia son elementos fundamentales en las unidades eléctricas que conforman el EPS y otros sistemas, ya que permiten topologías de conversión de energía eléctrica más eficientes (en términos de potencia y masa). Durante la última década, varios avances tecnológicos han permitido el desarrollo de una nueva generación de transistores basados en nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si). Estos transistores GaN permiten reducir la masa de los equipos que los incorporan y disminuir su consumo energético.

Actualmente, Europa no dispone de la capacidad de producir transistores GaN para aplicaciones espaciales sin depender de otros países para la mayor parte de la cadena de suministro, algo que no puede darse por garantizado. El objetivo del proyecto SAGAN es superar esta situación estableciendo una cadena de suministro independiente (diseño, fabricación, procesado y ensayos de cualificación) para transistores GaN adecuados para aplicaciones espaciales.

Los transistores desarrollados se someterán a pruebas para evaluar efectos de radiación, dinámica térmica, comportamiento estructural y fiabilidad.

Para lograrlo, se ha constituido un consorcio sólido, compuesto por organizaciones con el conocimiento y las instalaciones necesarias para cumplir este objetivo. El consorcio está formado por:

• Semi Zabala: empresa dedicada al diseño de transistores GaN y circuitos integrados de nivel espacial.

• IMEC: fundición de investigación.

• Disco Hi-Tec Europe GmbH: empresa especializada en el procesado de obleas conforme a los estándares requeridos por la tecnología.

• SENER TAFS SAU: fabricante de equipos satelitales con capacidades de encapsulado de componentes, que además actúa como usuario final de los transistores GaN.

Fecha de inicio: 1 de enero de 2023
Fecha de finalización: 31 de diciembre de 2025
Presupuesto total: 2.398.623 €

Miembros del consorcio:

• SENER TAFS SAU (coordinador)

• Semi Zabala SL

• IMEC

• Disco Hi-Tec Europe GmbH

Para más información: https://cordis.europa.eu/project/id/101082387