Foco Principal

Primero el diseño, luego la fabricación (inicialmente en una instalación no calificada y posteriormente con calificación completa para componentes espaciales, etc.), y finalmente la calificación (cribado, pruebas de estrés, burn-in, etc.).

LA APLICACIÓN DE LA TECNOLOGÍA GAN

El nitruro de galio (GaN) —y en particular los transistores de alta movilidad electrónica en modo de mejora (HEMT E-Mode GaN)— son semiconductores de banda ancha (WBG) que ofrecen avances significativos en el mundo de la electrónica de potencia.

La tecnología de silicio (Si) ha sido históricamente el pilar de la industria, con una banda prohibida típica de 1,1 eV. Algunos de los materiales WBG clave que están siendo adoptados activamente y que han demostrado su estabilidad son el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN). Estas tecnologías avanzadas poseen bandas prohibidas considerablemente mayores —3,3 eV y 3,4 eV respectivamente—, además de otras características destacables.

Semi Zabala se dedica a avanzar en los diseños basados en material HEMT GaN, alcanzando los mayores voltajes de ruptura, una mayor conductividad térmica y una eficiencia superior, combinadas con una resistencia a la radiación significativamente mayor que la de los MOSFETs de silicio endurecidos por radiación tradicionales.

Plataformas de sistemas de ruta crítica, como defensa, espacio comercial e industria de alta gama, han buscado tecnologías que superen las capacidades actuales de potencia basadas en silicio (Si), especialmente aquellas que ofrezcan una mayor densidad de potencia a menor coste, menor tamaño y mayor eficiencia global, manteniendo al mismo tiempo las exigencias de fiabilidad propias de los sistemas críticos.

Semi Zabala ofrece dichas capacidades con un diseño extremadamente resistente a la radiación, capaz de soportar efectos individuales sin fallo, junto con los mayores voltajes de ruptura disponibles actualmente en el mercado.

Nuestras plataformas de diseño endurecidas frente a radiación ofrecen avances tecnológicos con clasificaciones de voltaje de ruptura de 100 V, 200 V, 400 V y hasta más de 600 V.