Avanzando en tecnologías GaN endurecidas a la radiación en G-RADNEXT 2026
Avanzando en tecnologías GaN endurecidas a la radiación en G-RADNEXT 2026
5/7/20262 min leer


Avanzando en tecnologías GaN endurecidas a la radiación en G-RADNEXT 2026
El evento G-RADNEXT 2026, organizado por ENEA en Frascati (Italia), reunió a más de 150 expertos del ámbito industrial y de investigación para analizar los últimos avances en los efectos de la radiación sobre dispositivos semiconductores.
Celebrado en el histórico Villa Mondragone, el evento ofreció una plataforma única para el intercambio de conocimiento, la colaboración y el debate sobre el futuro de la electrónica para aplicaciones espaciales.
Un enfoque en GaN endurecido a la radiación para el espacio
Durante el workshop, Simon Wainwright, CEO de Semi Zabala, presentó
“Radiation Hardened GaN Components for Space”, destacando la creciente importancia de las tecnologías de nitruro de galio (GaN) para permitir sistemas de alto rendimiento capaces de operar en entornos extremos.
A medida que las misiones espaciales se vuelven más complejas, aumenta la demanda de componentes fiables y resistentes a la radiación. En este contexto, los materiales de banda ancha como el GaN ofrecen claras ventajas:
Mayor eficiencia y densidad de potencia
Mejor rendimiento térmico
Mayor robustez frente a la radiación
Estas características posicionan al GaN como una tecnología clave para las aplicaciones espaciales de próxima generación.
Impulsando la innovación mediante la colaboración: el proyecto SAGAN
Un elemento clave de la contribución de Semi Zabala en este ámbito es su participación en iniciativas colaborativas como el
👉 Proyecto SAGAN
El proyecto SAGAN se centra en avanzar en tecnologías GaN para aplicaciones de alta fiabilidad, apoyando el desarrollo de componentes capaces de cumplir con los exigentes requisitos de los entornos espaciales.
A través de la colaboración entre industria, centros de investigación y agentes de innovación, SAGAN contribuye a reforzar las capacidades tecnológicas de Europa en los sectores de semiconductores y espacio.
Principales conclusiones de G-RADNEXT 2026
El evento puso de relieve varias tendencias clave que están dando forma al futuro de la electrónica endurecida a la radiación:
La creciente relevancia del GaN en sistemas espaciales
La necesidad de metodologías avanzadas de ensayo frente a radiación
La importancia de la colaboración entre sectores para acelerar la innovación
Más allá de las sesiones técnicas, G-RADNEXT 2026 también ofreció valiosas oportunidades para establecer contactos y explorar nuevas colaboraciones.
Mirando al futuro
En Semi Zabala, seguimos comprometidos con el avance de las tecnologías de banda ancha y su aplicación en los entornos más exigentes.
Nuestra participación en G-RADNEXT 2026 refuerza nuestro compromiso con la innovación, la colaboración y el desarrollo de soluciones que impulsen el futuro de la electrónica espacial resistente a la radiación.








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